关键词:
伴随粒子
耐高温
碳化硅
像素探测器
结型场效应管
摘要:
氘氚聚变反应产生的快中子与伴随粒子存在时间和空间关联,利用该特性可开展磁约束聚变诊断、中子源强测量和中子活化元素成像分析。基于伴随粒子成像的中子活化元素分析方法能够提高瞬发γ能谱信噪比,减少屏蔽材料用量,实现元素三维分布测量,在深空探测和行星地质勘探等领域中具有应用潜力。但是,目前常用的闪烁体伴随粒子探测器的光电转换结构复杂、体积和重量较大,而硅探测器的耐高温能力和抗辐照性能差,无法满足高环境适应性、长寿命、高中子源强的运行需求。因此,需要研究开发新型耐高温、抗辐照和小型化的伴随粒子探测技术。针对以上问题,本论文提出了采用SiC探测器作为伴随粒子探测器,采用SiC-JFET作为前置放大器输入级的耐高温伴随粒子测量方案。开展了 SiC像素探测器的模拟仿真和实验制备,测试了 SiC像素探测器在高温下的电学特性和粒子探测性能,开发了基于SiC探测器的伴随粒子成像元素分析系统,研究了SiC-JFET的高温特性及其用于电荷灵敏前置放大器输入级时的噪声表现,最后开展了 SiC-JFET的实验制备和测试研究。本论文的主要研究内容及结果如下:(1)开展了 SiC像素探测器的设计仿真和制备测试工作,使用TCAD方法模拟分析了场板结构对探测器电学特性和输出特性的影响,实验制备了 SiC像素探测器并开展了性能测试。模拟仿真结果表明,场板结构有助于降低探测器像素边缘的峰值电场,能够降低器件漏电流。实验制备了 3×3像素场板结构SiC探测器,像素尺寸2×2 mm2,探测器在-30 V全耗尽偏压下漏电流小于10 pA。利用陶瓷基板和纳米银膏封装后的探测器在300℃下烘烤5小时后无性能变化,在300℃下漏电流小于1μA。粒子探测实验结果表明,封装后的SiC探测器在150℃以下能量分辨无变化,在300℃时可以稳定输出脉冲信号。(2)设计搭建了基于SiC探测器的伴随粒子成像元素分析系统,测试分析了主要部件性能和系统的元素识别与成像能力。实测SiC伴随粒子探测器对Am-241放射源发出的α粒子的能量分辨率小于1.6%,对氘氚聚变中子伴随α粒子的能量分辨率小于6.8%。测试了伴随粒子成像元素分析系统对石墨样品的元素成像性能,结果表明该系统能够准确识别快中子激发碳元素产生的4.4 MeV瞬发伽马特征峰,能量分辨率小于3%,系统本征时间分辨率小于2 ns,在中子飞行方向上的元素成像空间分辨率好于10 cm,对距靶点70 cm远处的样品的二维成像空间分辨率约为6 cm,可以准确分辨视野范围内随机分布的多个样品,能够获得样品的三维元素分布信息。(3)研究了 SiC-JFET在高温下的电学特性变化及其作为电荷灵敏前放输入级时的噪声贡献,分析了 SiC-JFET的噪声受温度变化影响的物理机制,比较了Si-JFET和SiC-JFET与SiC探测器匹配时的噪声及其随温度升高的变化规律。TCAD仿真结果表明,SiC-JFET具有较好的高温稳定性和较宽的工作温度范围,在25~250℃温度范围内,跨导变化小于31%,在400℃下具备正常工作能力。在成形时间0.1~10μs和温度25~400℃范围内,SiC-JFET的噪声始终比相同结构的Si-JFET低。当匹配小电容SiC探测器时,SiC-JFET在温度高于50℃时具备低噪声优势。当跨导为7.5 mS,与自制SiC像素探测器联合使用时,SiC-JFET在较高温度和较小成形时间下具备低噪声优势。(4)开展了前放用SiC-JFET的制备和性能测试分析,讨论了器件制备方案、关键工艺流程、测试表征和高温性能测试结果。通过自主设计工艺方案和加工条件制备得到了 SiC-JFET。在室温下SiC-JFET的实测沟道夹断电压为-5.4 V,饱和漏源极电流为0.78 mA,均小于仿真结果。室温下的器件跨导为0.35 mS,为仿真值的49%。导致实测值和理论值差异的主要原因包括仿真模型的沟道掺杂浓度和高度偏小,材料缺陷导致载流子迁移率偏小,刻蚀工艺误差导致沟道长度偏大,以及漏源极串联电阻较大。高温测试结果表明,在栅源极接地时,SiC-JFET在室温至200℃下跨导减小约为34%,饱和漏极电流减小约为36%,与仿真结果接近。由于制备工艺问题,工作状态下栅极漏电流密度高达1 mA·cm-2,但是在200℃下仅增大1.3倍,说明SiC-JFET在高温下噪声变化较小,但是还需进一步改进工艺以减小栅极漏电流。综上所述,本研究针对耐高温伴随粒子探测技术难题,提出了基于耐高温SiC探测器和SiC-JFET的解决思路,对SiC像素探测器开展了模拟仿真和实验制备,搭建了基于SiC探测器的伴随粒子成像元素分析装置,全面梳理和剖析了探测器和前置放大器在高温下的噪声变化,对耐高温SiC-JFET的电学特性进行了模拟仿真研究并开展了实验制备和测试工作。本文的研究成果为发展耐高温伴随