关键词:
硅基
太赫兹集成电路
低噪声放大器
增益噪声协同优化
增益提升技术
摘要:
随着太赫兹技术的发展,太赫兹频段的开发逐渐成为科学技术、社会经济和国家安全等领域的重要方向。太赫兹频段应用,特别是太赫兹通信技术对超高速数据传输提出了紧迫的需求,因此太赫兹频段凭借着其广阔的频谱资源在国际上受到学术界和产业界的高度重视,被认为是极具潜力的第六代通信技术关键候选频段。太赫兹接收机作为太赫兹通信系统的重要组成部分,负责接收从发射机发送的太赫兹信号,承担着信号接收、放大、解调、处理与分析等关键任务。太赫兹低噪声放大器作为接收链路中的核心模块,其作用是放大有用信号并抑制后级链路组件的噪声,该模块的工作性能对整个太赫兹通信系统的灵敏度、通信距离和信号传输质量具有直接影响。
然而,由于现有工艺条件的限制,随着硅基晶体管工作频率越来越接近其最大振荡频率,器件的寄生效应导致其有源性、固有增益和噪声系数不断恶化,已经无法满足通信系统的要求,传统的低噪声放大器设计方法在太赫兹领域难以取得最优性能,给太赫兹低噪声放大器的设计带来了巨大的困难与挑战。在此研究背景下,本文以解决晶体管的固有增益下降和噪声系数恶化这两个近最大振荡频率下最主要的挑战为出发点,以增益噪声协同优化技术为核心,结合宽带化技术,对太赫兹频段晶体管等有源二端口网络的增益噪声性能进行深入研究,并最终取得最佳综合性能。本文主要研究内容概括如下:
首先,本文围绕太赫兹频段器件的本征增益与噪声性能迅速恶化的挑战,提出了太赫兹低噪声放大器增益噪声协同优化理论。通过引入二端口网络的表示形式,刻画了晶体管等有源器件的单向化功率增益、最大可实现功率增益、稳定系数与非互易性度量指数等特性参量;并借助此网络引入增益平面理论体系,实现了嵌入有源二端口网络取得理论最大功率增益的目标。同时,通过联合二端口噪声理论,以嵌入式网络为桥梁,建立了增益状态点与噪声参数之间的关系,进而提出了新型增益-噪声平面理论,为增益噪声协同优化提供了理论基础;并在此基础上,通过重新审视传统技术、经典理论与普遍直觉判断,完善了太赫兹波段低噪声放大器的设计方式。
其次,基于上述应用于低噪声放大器的增益-噪声平面理论,本文针对单级、多级低噪声放大器分别提出了太赫兹频段增益噪声协同优化设计方法,以取得最佳的增益噪声综合性能,并通过实验验证了其可行性与有效性。并在此设计方法的指导下,结合太赫兹低噪声放大器的多种电路拓扑结构,基于65nm CMOS工艺与130nm Si Ge工艺完成了多款具有最低噪声系数且满足增益要求的放大器设计,如130 GHz频率下24.77 d B增益的低噪声共源放大器与160 GHz频率下22.3 d B增益的Cascode低噪声放大器等,并通过流片测试证实了其可行性与有效性。
进一步地,本文基于增益-噪声平面理论完成了太赫兹低噪声放大器宽带优化理论研究与设计。在太赫兹波段,由于增益提升技术往往以牺牲带宽为代价,使得放大器在偏离峰值频率处的功率增益迅速下降。本文对传统的宽带化技术进行了分析与比较,并在增益-噪声平面理论的基础上,提出了一种新型的太赫兹低噪声放大器宽带化设计方式,通过引入高阶无源嵌入网络,使得有源二端口网络在多个频点均达到所需的增益状态以扩展带宽。基于所提出的设计方法,本文在65nm CMOS工艺中设计了一款工作在133 GHz的宽带高功率增益低噪声放大器,并通过流片测试证实了其特性。这一成功设计为太赫兹频段高速收发通信系统的构建提供了基础。
最后,基于上述增益-噪声平面理论及其设计方法,本文完成了太赫兹接收机前端链路的设计。太赫兹频段通信系统因其广阔的频谱资源和较高的安全性而备受瞩目,尤其在高速数据传输领域。因此本文在130nm Si Ge工艺中,采用PAM4调制方式,通过在链路前端使用双工器降低太赫兹有源器件的带宽要求,借助增益噪声协同优化的低噪声放大器提升信号功率并抑制噪声干扰,引入自混频器在节省芯片功耗与面积的同时完成变频工作,最终提出了一款能够以至少70 Gbps的速率传输数据的太赫兹接收机前端链路并成功完成了流片设计。
综上所述,本文基于二端口网络理论与噪声理论,通过引入增益平面理论与新型增益-噪声平面理论,实现了太赫兹波段低噪声放大器的增益噪声协同优化;并在此基础上,辅以宽带化技术,完成了应用于太赫兹接收机的低噪声放大器关键技术研究,并通过太赫兹接收机前端链路的构建完成了验证。