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关键词： 肾结石   电子输尿管软镜   碎石成功率   肾功能  

摘要： 分析电子输尿管软镜手术治疗肾结石的效果。筛选肾结石患者78例随机抽签分组,各39例。对照组采取经皮肾镜碎石,观察组采取电子输尿管镜碎石。经两组碎石成功率,差异对比不显著;经两组手术指标,及术后并发症对比,观察组更优。肾功能指标对比,血SCr组间对比无显著差异(P>0.05),观察组血清Cys-C、NGAL及尿Kim-1水平低于对照组(P<0.05)。电子输尿管软镜手术治疗肾结石碎石成功率高,并发症少,对患者肾功能的损伤小,且患者更容易恢复,其临床应用价值显著。

关键词： 功率晶体管   功率半导体   半导体领域   电力电子   氮化物   市场份额   SEMICON   下一代  

摘要： 过去十年里,半导体领域里最半导体SEMICONDUCTORS大的事件之一就是传统硅在电力电子领域黯然失色,碳化硅(SiC)禾和镓氮化物(GaN)占据了数十亿美元的市场份额。随着这些新材料在重要领域的应用,自然而然地出现了一个问题:下一代新的功率半导体会是什么材料?

关键词： 双极晶体管   功率   发射区结电流集边效应   大电流  

摘要： 在大电流条件下,随着电流密度的增加,发射区结电流集边效应、基区电导调制效应、基区展宽效应会随之出现。基于研究单位的BCD工艺,在集成CMOS和DMOS的基础上集成功率纵向NPN双极晶体管用于输出。设计了75μm×4μm、50μm×6μm、30μm×10μm三种不同尺寸的发射极并进行TCAD仿真研究。在发射极面积相同的情况下,发射极长宽比越小,TCAD可观察到的电流集边效应越严重,最终流片并进行测试验证,得出75μm×4μm的细长结构尺寸能够提升晶体管在大电流下的放大能力,较30μm×10μm的结构提升约11.4%。

关键词： 直流母线电容   寄生电感   杂散电感   寄生电容   功率回路   测试方法   动态特性   直流母排  

摘要： 影响IGBT和SiCMOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数:寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法,包括直流母线电容的寄生电感,直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。

关键词： 牵引变压器   隐马尔科夫模型   油中溶解气体   剩余寿命  

摘要： 为考虑动车组车载牵引变压器油纸绝缘老化状态对剩余寿命的影响,本文采用油中溶解气体含量作为反映油纸绝缘老化的特征参量,由于油纸绝缘老化过程中具有动态特性,依据油纸绝缘老化状态与特征参量之间对应的隐藏状态与观测状态建立隐马尔科夫模型。首先通过贝叶斯信息准则确定隐藏状态数目,利用k-Means算法对观测序列进行聚类处理。在此基础上,利用Viterbi算法对观测序列进行状态识别进而确定油纸绝缘老化状态,最后结合比例风险模型确定可靠度函数。通过CRH2型动车组车载牵引变压器油中溶解气体在线监测数据验证模型的准确性,最终得到油纸绝缘的剩余寿命与实际寿命基本相符,从而可为后续制定牵引变压器维修策略提供理论参考。

关键词： 智能反射面   非正交多址   发送功率   相位偏移   波束成形  

摘要： 针对智能反射面(intelligent reflecting surface,IRS)辅助下行多天线非正交多址接入技术(non-orthogonal multiple access,NOMA)系统开展研究,根据用户解码顺序、基站波束成形矢量和IRS相移矩阵建立基站的发送功率最小化模型。通过用户组合信道强度的顺序得到最优用户解码顺序,利用交替优化方法设计最优波束成形矢量与相移矩阵。设计波束成形矢量时通过数学变换,将原本复杂的非凸优化问题转化为二阶锥规划(second order cone programming,SOCP)问题进行求解;优化相移矩阵时采用顺序相位旋转法来求解最优相移。仿真结果表明:在满足用户服务质量的条件下,所提出的设计方案可以显著降低基站的发送功率。

关键词： 电力变压器   运行维护   故障处理  

摘要： 随着居民用电需求的不断提升,电力系统也在持续发展,电力变压器作为主要供电载体受到了广泛关注,电力变压器运行维护及故障处理技术也成为学界关注热点,相关理论研究及实践探索大量涌现。基于此,简单分析电力变压器常见的铁芯、绕组、油箱及瓦斯等方面的运行故障,深入探讨电力变压器的运行维护技术及相关的故障处理技术,以供参考。

关键词： 晶体管   碳化硅   测试系统   开关特性  

摘要： 以碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为代表的第3代半导体功率器件因其优异的开关特性,在新能源等领域被广泛应用,但面对高速开关耦合寄生参数所产生的负面效应,使得测试系统难以快速、准确评估其开关瞬态等相关参数。首先,根据改进的双脉冲模型设计了一种高精度测试系统,硬件主要包括功率测试板、集成脉冲发生器的控制板及驱动板,软件主要利用Keil编写控制板程序,LabVIEW进行用户界面设计。其次,还探讨了电压和电流测量技术、连接技术和测量数据的处理,并且结合器件数据手册及仿真结果分析实测结果,表明该系统测量误差小,量程大,抗干扰能力强,可信度高,能为优化第3代半导体器件和驱动电路的设计和应用提供有益支持。

关键词： 串扰抑制   SiC MOSFET   米勒钳位   无比较器   双脉冲测试  

摘要： SiC MOSFET相对于传统的Si MOSFET开关速度有明显的提升,但开关速度的提升引起电压/电流变化率的增大,器件寄生电感及布线电感等因素对电路的影响日益凸显。当器件自身的电压和电流变化时,会导致栅极-源极间产生预期以外的浪涌电压,从而导致开关管误导通。针对桥式电路上下管的串扰问题设计了一种外接无比较器米勒钳位的SiC MOSFET串扰抑制驱动电路。通过搭建双脉冲测试平台进行了实验验证,实验结果表明,所设计SiC MOSFET串扰抑制驱动电路能够有效抑制上下管之间的串扰,具有重要的工程应用价值。

关键词： 碳化硅器件   串扰抑制   桥式电路  

摘要： 碳化硅(SiC)器件开关速度快,在高压条件下串扰现象明显,串扰尖峰容易引起桥臂直通,损坏器件。此处基于桥式电路,考虑了SiC寄生参数的影响,分析了桥臂串扰现象的原因。提出了一种有源箝位的电路,可以有效抑制桥臂串扰尖峰,并且可以减小驱动电阻,减小开关损耗。此处搭建了桥式电路实验平台,通过实验验证了该方案的有效性。在相同电阻条件下可以减小62%串扰尖峰。