关键词:
射频消融术
QDOT MICRO^(TM)导管
超高功率短时程
温度/流量控制
摘要:
目的探讨QDOT MICRO^(TM)(QDOT)导管两种模式消融效果的安全性,以及与传统导管功率控制(PC)模式相比不同参数设置对消融创痕的影响。方法应用新鲜离体猪心,比较QDOT导管的温度/流速控制(TFC)模式与THERMOCOOL SMARTTOUCHTM SF(STSF)导管的PC模式在不同消融指数(AI,400、500)分组下的创痕大小和安全性。同时评估QDOT导管的超高功率短时程消融模式(vHPSD)和TFC模式在不同接触压力(5、15和30 g)和不同贴靠角度(0°、45°和90°)分组下的创痕大小和安全性,并对比两种模式在不同消融间距(4 mm和6 mm)分组下创痕的均匀性、连续性和安全性。结果在AI相同时,TFC与PC模式所产生的创痕的深度、表面宽度、最大横径以及体积的差异均无统计学意义(均为P>0.05)。与目标AI为400时TFC模式相比,vHPSD模式所产生创痕的表面宽度和最大横径的差异均无统计学意义(均为P>0.05),但vHPSD模式产生的创痕更浅[(1.95±0.38)mm比(2.72±0.31)mm,P<0.001]、体积更小[(30.35±11.34)mm^(3)比(48.78±19.82)mm^(3),P=0.040]。接触压力对创痕情况影响不显著,各参数差异均无统计学意义(均为P>0.05)。各组创痕表面宽度均在贴靠角度90°时最小,且在目标AI为500的TFC模式组不同贴靠角度导致的创痕表面宽度差异有统计学意义(P=0.027)。此外,消融间距为4 mm时,vHPSD模式和TFC模式均能产生均匀且连续的线状创痕;消融间距为6 mm时,vHPSD模式和目标AI为400的TFC模式组所产生的创痕均不连续,而目标AI为500的TFC模式组产生的创痕具有良好的连续性。应用QDOT导管和STSF导管消融均未产生气爆和焦痂。结论在AI相同时,QDOT导管的TFC模式与STSF导管的PC模式消融效果相似。与TFC模式相比,vHPSD模式产生的创痕深度更浅,体积更小。QDOT导管的TFC模式和vHPSD模式安全性均较高。