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关键词： 4H-SiC MOS电容器   high-k栅介质材料   堆栈栅介质   界面特性   电学性能  

摘要： 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为碳化硅绝缘栅结构的典型器件被广泛使用，然而SiO2介电常数低的缺点和SiO2/4H-SiC界面特性差的问题一直制约着4H-SiC绝缘栅结构（MIS）器件更大规模商业化应用，因此科研工作者一直致力于寻找能够替代或弥补SiO2的high-k栅介质材料。本文对该科学问题的研究现状进行综述，首先指出合适的high-k介电材料应该拥有较宽的禁带宽度、较高的介电常数、良好的界面特性和热稳定性，并总结了有关栅介质材料常见的评价方法。然后，主要从栅薄膜制备工艺、沉积温度、栅介质界面特性和电学性能等方面对典型high-k介电材料的研究结果进行讨论与分析，包括氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝（AlN）、氧化钇(Y2O3)、氧化铈(CeO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化镧(La2O3)、五氧化二钽(Ta2O5) 、钛酸钡(BaTiO3)、氧化钬(Ho2O3)和由它们组合而成的堆栈栅介质。最后，对未来该领域的研究方向进行了展望和建议，例如对栅漏电流机理的研究、对新材料的更多尝试、器件在极端环境下的可靠性问题等。

关键词： 非正交多址接入   同时透射和反射的智能可重构表面   能量效率   功率   相移  

摘要： 对于同时透射和反射的智能可重构表面(STAR-RIS)辅助的上行非正交多址接入(NOMA)系统，提出了一种最大化能量效率的方法。首先构建最大化能量效率的优化问题，优化参数为基站波束赋形、STAR-RIS相移、用户功率和时间分配；然后通过推导波束赋形与STAR-RIS相移等参数之间的关系和用户所需的最低功率，简化该优化问题；最后，用迭代的方法交替优化STAR-RIS相移、功率分配和时间分配，在每次迭代过程中用半正定规划法优化STAR-RIS相移、Dinkelbach算法优化功率、函数极值法优化时间分配。仿真结果显示，在时间切换协议中时间分配对能量效率影响较小，STAR-RIS相移对能量效率影响较大。

关键词： 电网模拟器   线性自抗扰   滤波器滤波  

摘要： 针对目前新型电力系统中测试电力电子设备在各种工况下运行情况的需要，提出利用线性自抗扰技术控制的策略，研究具有线路阻抗模拟功能的电网模拟器。在此基础上，为了对各次谐波进行分离控制，利用改进后的滤波器组进行电网电压的分离滤波，达到独立的阻抗模拟及谐波输出的效果。仿真和实验证明，提出控制策略有较好的输出效果。

关键词： 光电导开关   雪崩模式   双极性   固态   脉冲功率源  

摘要： 设计了一种基于砷化镓（GaAs）光电导开关（PCSS）的双极性固态脉冲功率源。通过对两级脉冲形成线（PFL）结构端反射系数的研究，分析了单级性正、负脉冲以及双极性脉冲产生的波过程，并采用PSpice工具开展电路仿真研究。研究了输入端电阻阻抗对脉冲拖尾的影响，提出了脉冲拖尾调制和脉冲宽度调制的方法。基于体结构GaAs PCSS和两级脉冲形成线结构，搭建了电阻隔离的脉冲充电实验平台，采用光路分时触发技术对光电导开关导通时序进行调控。实验结果表明，所研制的双极性固态脉冲功率源在2.5 kV偏压下可产生峰峰值达3.26 kV、脉宽5.6 ns、重复频率1 kHz的双极性纳秒冲激脉冲，验证了将雪崩GaAs PCSS与多级波拓扑结构PFL结合产生双极性纳秒冲激脉冲的可行性。

关键词： 直流微电网   分布式二次控制   一致性算法   电压补偿   功率分配   影响因素  

摘要： 【目的】针对直流微电网中的多分布式电源（distributed generator，DG）采用传统下垂控制时，难以实现多DG的负荷精确分配、母线电压稳定，以及考虑DG的容量安全运行等控制目标，提出了一种孤岛直流微电网电压调节与功率分配分布式控制策略。【方法】首先，通过理论推导，分析母线电压跌落偏差和电流校正偏差，设计统一控制器，其能补偿传统下垂控制引起的母线电压跌落的同时实现负荷功率的精确分配。引入电流限幅环节以确保各DG输出电流不超限。并结合所提出的控制策略对微电网系统进行稳定性分析，最后，使用MATLAB/Simulink软件搭建仿真模型加以验证。【结果】结果显示：所提单控制器策略可以保证母线电压持续稳定在额定值，实现负荷功率的高精度分配，且系统不受负荷功率波动的影响，可通过电流限幅环节设置最大限幅电流从而保证DG输出电流不超限，稳定性分析环节证明该系统稳定且不受下垂系数以及截止频率变化的影响。【结论】结果表明：所提母线电压补偿、负荷功率分配统一控制器策略能有效实现多个控制目标，能够减轻系统通信压力，减小操作复杂度，实现微电网高效稳定运行。

关键词： 开关电源   MOSFET损耗   Buck   导通损耗   开关损耗  

摘要： 为实现汽车集中式域控制器高性能芯片的开关电源的功率损耗计算，分析了金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的导通和关断过程，对Buck型开关电源的MOSFET损耗进行理论分析及公式推导，针对开关损耗部分进行了实例计算和仿真验证。结果表明，计算结果与仿真结果趋于一致，所提出的方法可为开关电源MOSFET的选型提供参考。

关键词： MEMS   GaAs MMIC   检测芯片   双通道   微波性能   灵敏度  

摘要： 设计了一种基于GaAs MMIC技术的双通道X-波段MEMS微波功率检测芯片，建立了MEMS固支梁的等效力学模型，并基于此对双通道微波功率检测芯片的微波性能、过载功率和灵敏度性能进行理论研究，得到双通道微波功率检测芯片的微波性能、过载功率和灵敏度性能与结构尺寸之间的关系。固支梁和热电堆的结合，在增强热电堆的抗过载能力的同时，提高系统的过载功率和灵敏度。测试结果表明，该检测芯片在8～12 GHz频段的回波损耗约为-10dB；10 GHz时，电容式检测通道灵敏度为2.4 fF/W，热电式检测通道灵敏度为24.9 mV/W。该研究对微波功率检测芯片在不同功率检测场合的应用提供一种解决方案。

关键词： 宽带   扩展连续F类   Doherty功率放大器   带通滤波   后匹配网络  

摘要： 本文提出了一种具有高效集成滤波特性的宽带高效率Doherty功率放大器的设计。载波功率放大器采用扩展连续F类设计，耦合微带线滤波器结构用于后匹配设计。这种滤波结构的终端由级联在一起的微带线组成，以增强带外抑制效果。这种结构不仅提高了效率，而且拓宽了带宽。使用10W GaN HEMT器件设计和实现了Doherty功放，验证了其宽带特性。在1.6～2.4 GHz频段内，实现了7.7～9.9 dB的饱和增益和43.1～44.7 dBm的饱和功率，在功率回退6 dB和饱和功率时的漏极效率分别为50.1%～58.8%和59.9%～73.3%。

关键词： 高压直流输电   送端电网   暂态特性   换相失败   暂态过电压   直流优化控制  

摘要： 针对换相失败及恢复过程中影响整流器消耗无功功率的主导因素不明及暂态过电压问题，首先基于交直流无功交互耦合机理，建立整流器无功消耗量与直流电气量的数学模型，得出在换相失败及恢复期间直流电流的变化对整流器消耗无功功率起主导作用的结论，而直流电压的影响较小且可被忽略；其次，建立直流电流为主导因素的整流侧换流母线电压计算公式，以不超过送端交流系统耐受暂态过电压能力为目标，推导建立了换相失败及恢复过程中整流侧直流电流指令值表达式，提出抑制换相失败恢复过程中暂态过电压的直流控制策略，最后，基于PSCAD/EMTDC平台中的CIGRE标准模型搭建测试系统，验证了不同故障电抗和不同故障持续时间下理论分析的正确性及暂态过电压抑制的有效性。

关键词： 宽频带通信系统   宽频带干扰对消   子带划分与重构   子带划分滤波器组   重构滤波器  

摘要： 围绕宽频带通信干扰对消的需求,提出了新的子带划分与重构框架,并对子带划分滤波器组与重构滤波器进行设计,简化了完全重构条件,使得重构滤波器具备过渡带幅度互补特性.仿真与实验结果表明,设计的重构滤波器可以有效降低重构后通信信号的误码率,并且解决了子带信号拼接过程中的频谱起伏现象.所提出的子带划分与重构框架及重构滤波器设计展现了良好的通信信号重构效果,可为宽频带干扰对消的子带划分与重构工程实践提供新的理论方法与技术路线.