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关键词： CsPbI_(3)   第一性原理   电子结构   光学性质  

摘要： 采用基于密度泛函理论的第一性原理,计算了本征CsPbI_(3)和Mn、Zn、Sn掺杂体系的形成能、电子结构和光学性质.研究结果表明:Mn、Zn、Sn的掺入减小了材料晶格常数,Mn原子掺入CsPbI_(3)晶体结构使得体系的磁矩由0变为5.00μ_(B),丰富了材料磁性.与Zn掺杂体系相比,Mn、Sn掺杂体系更为稳定.Mn掺杂体系增大了材料带隙,Zn、Sn的掺入使材料带隙分别减小了30.2%和16.2%,有利于电子极化跃迁,但Zn掺入使CsPbI_(3)材料转变为间接带隙半导体.在可见光区域中Mn、Zn、Sn掺杂体均表现出优异的光学性能,Sn掺杂体系效果最佳.这些研究结果为实验方面CsPbI_(3)材料的掺杂改性提供了数据支持,有利于CsPbI_(3)钙钛矿在光电领域的应用.

关键词： 特发性正常压力脑积水   姿势控制   姿势稳定性   跌倒风险   平衡功能  

摘要： 背景:姿势控制能力受损是特发性正常压力脑积水患者发生跌倒、引发继发性损害的重要危险因素,现有研究大多是对患者直线行走时的步态参数进行分析,鲜有对患者在静态与动态活动中的姿势稳定性特征进行分析。目的:分析老年特发性正常压力脑积水患者的姿势稳定性特征。方法:选择2022年9月至2023年2月在上海市复旦大学附属华东医院神经外科临床诊断为特发性正常压力脑积水的患者22例作为患者组,同时选择健康陪诊家属18名作为健康对照组。分别采用计时起立-行走测试、多方向性伸展测试、Berg平衡量表和静态平衡功能测试(反应时间、移动速度、方向控制、最大偏移距离、端点行程)评估受试者的姿势稳定性特征。结果与结论:①患者组完成计时起立-行走测试所需时间及静态平衡功能测试的反应时间均长于健康对照组(P<0.05),前、后、左、右方向上的伸展测试手臂伸展距离均小于健康对照组(P<0.05),Berg平衡量表得分低于健康对照组(P<0.05),静态平衡功能测试的移动速度、方向控制、最大偏移距离和端点行程均小于健康对照组(P<0.05)。②结果提示,特发性正常压力脑积水患者表现出整体的姿势控制能力障碍,反应能力与执行能力受损使得这类患者在面对来自内部或外部的干扰时无法做出及时、准确的运动反应而出现姿势不稳,增加了发生跌倒的风险。

关键词： 载金黄铁矿   掺杂   密度泛函理论   氧化预处理  

摘要： Co、Ni、As掺杂的黄铁矿晶体具有不同物理性质,会影响其载金性能和氧化行为.论文基于密度泛函理论计算,采用了CASTEP软件对载金黄铁矿以及不同晶体缺陷的载金黄铁矿进行模拟计算,以研究Co、Ni、As掺杂载金黄铁矿的电子结构,并据此分析其稳定性.综合半导体类型和能量分析,不同晶体缺陷的载金黄铁矿稳定性顺序为:Fe_(32)S_(63)AsAu

关键词： 体相二硫化铼   形成能   缺陷能级   稳定性  

摘要： 二硫化铼是过渡金属二硫族化合物的成员,由于层间的范德华作用、合适的带隙、高的光吸收系数和长的载流子迁移距离在光电子研究领域引起广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而半导体的缺陷能级对电子结构具有重要的调控,且体相二硫化铼的缺陷研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对体相二硫化铼的铼空位、硫空位、钨掺杂(或替代)铼、钨掺杂硫、锝掺杂铼和锝掺杂硫的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:钨掺杂硫和锝掺杂硫形成深施主能级缺陷,铼空位形成浅施主能级缺陷.在富铼和富硫条件下,钨掺杂铼的缺陷形成能低且能有效降低体系总能,提高体系稳定性.钨掺杂硫的缺陷虽然能降低体系的总能提高二硫化铼的稳定性,但较大的缺陷形成能表明钨掺杂硫缺陷难以形成.上述研究结果有助于理解缺陷能级对半导体深浅能级和稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于二硫化铼的高效的光电子器件提供理论依据.

关键词： 新型冠状病毒肺炎   脉冲干预措施   基本再生数   渐近稳定  

摘要： 建立了一类对易感人群实施脉冲干预措施的COVID-19模型，得出了模型的基本再生数R0和无病周期解。当R0<1时，根据脉冲微分不等式和Lyapunov函数分析了无病周期解的全局稳定性，并数值模拟了这一结论。最后，探讨了脉冲预防策略在COVID-19传染病预防中的效果。

关键词： 肥胖   跨越障碍   动态稳度   平衡   姿势控制   稳定性   跌倒   双因素重复测量方差分析  

摘要： 背景:肥胖对步行时的动态平衡产生负面影响,而跨越障碍是较为日常的功能活动,对控制身体姿势的稳定性要求更高。目的:探讨肥胖男性与普通男性动态稳定性的差异,采用相对更具挑战性的跨越障碍对肥胖男性的平衡能力进行评估。方法:招募24名男性青年,肥胖组与普通组(非肥胖组)各12名,分别以随机顺序完成平地行走和不同高度(4,11,15 cm)障碍物的跨越测试。使用Qualisys运动捕捉系统与Kistler测力台采集运动学与动力学数据。采用双因素(2组别*4动作类型)重复测量方差分析,对各指标进行统计分析。结果与结论:①肥胖组比普通组步速更低(P<0.05),跨越11 cm与15 cm障碍时第一单支撑期占比减小,第二双支撑期占比增加(P<0.05);②在平地行走时,普通组的内外方向动态稳度大于肥胖组(P<0.05);③在跨越4 cm障碍时,肥胖组前后方向动态稳度低于普通组(P<0.05);④在跨越11 cm障碍时,两组前后方向动态稳度无显著性差异(P>0.05),而内外方向差异有显著性意义(P<0.05);⑤在跨越15 cm障碍时,肥胖组动态稳度低于普通组(P<0.05);⑥提示肥胖使人体在跨越障碍过程中对身体的控制能力下降,动态稳定性降低,发生跌倒的风险较普通人群更高;此外,相较于平地行走,跨越障碍时肥胖组稳定性下降较普通人群更为显著。

关键词： 全无机锡基钙钛矿   第一性原理   B位掺杂   相稳定性   电子结构  

摘要： 全无机CsSnI3钙钛矿拥有理想的带隙宽度（1.3 eV）,光电转化效率理论峰值达到33%.目前CsSnI3太阳能电池的发展受制于的CsSnI3的结构不稳定性和Sn2+易被氧化为Sn4+的问题.研究基于第一性原理,详细探讨了一系列金属元素对CsSnI3进行B位掺杂改性的方案,旨在提升CsSnI3结构稳定性,并抑制CsSnI3中Sn2+被氧化为Sn4+的问题.计算结果表明,在CsSnI3钙钛矿B位掺杂三价金属Sb、Bi能够阻碍CsSnI3相变生成Cs2SnI6,并且抑制Sn2+的氧化;尤其在晶格中存在锡空位缺陷时,Sb、Bi掺杂对于Sn4+形成的抑制效果更为显著.同时,低浓度的Sb、Bi掺杂不会改变CsSnI3的直接带隙特性,且带隙宽度变化较小,因此能够在维持CsSnI3优良光电活性的基础上进一步提高结构和电荷的稳定性.研究结果为实现高效且稳定的CsSnI3钙钛矿太阳能电池提供了重要的理论指导.

关键词： 单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)   形成能   点缺陷   稳定性  

摘要： Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)是卤化铅钙钛矿材料的新成员,由于其高的光吸收系数和长的载流子迁移距离等优异的光电物理性能,在太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管以及发光二极管等领域受到广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而钙钛矿的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)中点缺陷的研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)的铯空位、碘空位、氯空位、铯替代铅、碘替代铯、碘替代铅、碘替代氯、氯替代铯、氯替代铅和氯替代碘的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:在富铅和缺铅条件下,碘替代氯和氯替代碘的缺陷形成能偏低,且氯替代碘能有效降低体系总能,提高体系稳定性.在缺铅条件下铯空位缺陷形成能低于富铅条件,在缺铅条件下更易形成铯空位;富铅和缺铅条件下对碘替代氯和氯替代碘的缺陷形成能基本无影响.上述研究结果有助于理解点缺陷对钙钛矿材料稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)的高效的光电子器件提供理论依据.

关键词： 单层InSe   稳定性   形成能   点缺陷  

摘要： InSe是Ⅲ-Ⅵ族化合物中的主要成员，由于其具有优异的电学性能，在太阳能电池、固体电池组等领域受到广泛的关注.光电材料及器件的优良特性由电子结构决定，而Ⅲ-Ⅵ族化合物中的点缺陷对电子结构具有重要的调控，且单层InSe中点缺陷的Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE)和Heyd-Scuseria-Ernzerhof (HSE)对比研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算，对单层InSe的硒空位、铟空位、溴替代硒、硫替代硒、碲替代硒、镓替代铟、锡替代铟和铊替代铟的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明：在缺铟和富铟条件下，硫替代硒和镓替代铟的缺陷形成能低且可以有效的降低体系总能，提高体系的稳定性.溴替代硒具有较小的缺陷形成能，但较大的体系总能表明溴替代硒的缺陷体系不稳定.在缺铟条件下易形成铊替代铟缺陷；在富铟条件下易形成碲替代硒缺陷.上述研究结果有助于理解点缺陷对Ⅲ-Ⅵ族化合物稳定性的影响，同时也为未来实验上设计基于InSe的高效的光电子器件提供理论依据.

关键词： 双侧缺陷   慢性踝关节不稳   踝关节扭伤   感觉运动   平衡控制   本体感觉   足底皮肤触觉   工程化组织构建  

摘要： 背景:单侧慢性踝关节不稳会对患侧肢体产生不良影响,有线索表明非患侧可能同样受到累及,但目前尚缺乏直接证据。目的:探讨单侧慢性踝关节不稳对于双侧姿势稳定性、本体感觉、足底触觉和肌肉力量的影响。方法:招募122例受试者,其中单侧慢性踝关节不稳者67例,非慢性踝关节不稳者55例。测试了单侧慢性踝关节不稳者双侧以及非慢性踝关节不稳者的姿势稳定性、本体感觉、足底触觉和肌肉力量。使用单因素方差分析或克鲁斯卡尔-沃利斯检验对比组间差异。结果与结论:①相较于非慢性踝关节不稳者,单侧慢性踝关节不稳者双侧前后方向的稳定时间均更长(P=0.001-0.012),患侧内外方向的稳定时间更长(P=0.012-0.025);双侧踝关节跖屈、背伸、内翻和外翻的本体感觉阈值均更高(P=0.000-0.035);双侧足底大脚趾、第1跖骨头、第5跖骨头、外侧足弓、足跟的足底触觉灵敏度均更低(P=0.000-0.008);双侧踝关节内翻和外翻的肌肉力量均更弱(P=0.000-0.019)。②单侧慢性踝关节不稳者存在双侧姿势稳定性、本体感觉、足底触觉和肌肉力量缺陷。因此,在治疗慢性踝关节不稳时应全面考虑双侧肢体的康复需求。